曝光系统重要部件之一是紫外光源。常见光源分为:可见光:g线:436nm紫外光(UV),i线:365nm深紫外光(DUV),KrF 准分子激光:248 nm, ArF 准分子激光:193 nm极紫外光(EUV),10 ~ 15 nm对光源系统的要求a.有适当的波长。波长越短,可曝光的特征尺寸就越小;[波长越短,就表示光刻的刀锋越锋利,刻蚀对于精度控制要求越高。]b.有足够的能量。能量越大,曝光时间就越短;c.曝光能量必须均匀地分布在曝光区。[一般采用光的均匀度或者叫不均匀度、光的平行度等概念来衡量光是否均匀分布]常用的紫外光光源是高压弧光灯(高压汞灯),高压汞灯有许多尖锐的光谱线,经过滤光后使用其中的g 线(436 nm)或i 线(365 nm)。对于波长更短的深紫外光光源,可以使用准分子激光。例如KrF 准分子激光(248 nm)、ArF 准分子激光(193 nm)和F2准分子激光(157 nm)等。曝光系统的功能主要有:平滑衍射效应、实现均匀照明、滤光和冷光处理、实现强光照明和光强调节等。i线步进式光刻机NSR-2005i10用于半导体器件制造。使用ORC制作所高压汞灯,功率2KW,型号:NLi-2001AL。超高压汞灯紫外线灯UNL-12001
紫外线照度计检测原理:光电池是把光能直接转换成电能的光电元件。当光线射到硒光电池表面时,入射光透过金属薄膜4到达半导体硒层2和金属薄膜4的分界面上,在界面上产生光电效应。产生电位差的大小与光电池受光表面上的照度有一定的比例关系。光电流的大小取决于入射光的强弱和回路中的电阻。照度计有变档装置,因此可以测高照度,也可以测低照度。这时如果接上外电路,就会有电流通过,电流值从以勒克斯(Lx)为刻度的微安表上指示出来。UVB波长紫外线灯功率8KW超高压汞灯,紫外线灯中强者,为你的工业生产保驾护航。
金属卤素灯在含有汞及氩气等稀有气体的UV灯的基础上添加铁掺合、钾掺合或其它稀土金属原素掺合。铁掺合卤素灯特别增强了380hm作为比较高波峰。主要适用于油墨、油漆的固化,干膜、湿膜,绿色阻焊的曝光。在网印和固化中带颜色,特别是涂层较厚的产品和白色、黑色的干燥有突出的效果。PCB、LCD行业:pcb 是电路板 uv灯管用于电路板的印刷一般使用METAL(金属卤素灯管),另外还有一种是曝光灯也属于金属卤素灯 PCB制作的时候,用于曝光显影的,一般用在电路板公司。lcd是显示屏,一般用低压冷紫外线灯管和固化用的灯管不一样,但是都属于紫外线灯,用途不一样。
a.接触式曝光(Contact Printing):掩膜板直接与光刻胶层接触。曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当,设备简单。接触式,根据施加力量的方式不同又分为:软接触,硬接触和真空接触。1.软接触 就是把基片通过托盘吸附住(类似于匀胶机的基片放置方式),掩膜盖在基片上面;2.硬接触 是将基片通过一个气压(氮气),往上顶,使之与掩膜接触;3.真空接触 是在掩膜和基片中间抽气,使之更加好的贴合(想一想把被子抽真空放置的方式)软半导体紫外线灯,让微小世界尽在掌握。
制造厂家:ORCMANUFACTURINGCO.,LTD产品名称:超高压汞灯(Super-hightpressuremercurylamp)型号:ONL-12001适用设备:FX-66S主要波长分布:365nm/405nm/436nm曝光设备功率:12KW灯管结构:由灯座,阴阳极,石英球体,稀有气体,液体汞等要素构成发光原理:灯管在高温,高压,多种特殊气体的环境下,电子和汞原子相互碰撞,发出多种波长的紫外线光。用途:液晶显示面板制作工厂,TFTArrayPhoto黄光部门曝光设备的光源.交货周期:30天NSR-2205iL1 曝光光源是 i-line(365nm波长),分辨率≤350nm,NA为 0.45,曝光场22 mm x 22 mm。交流电源紫外线灯
i线步进式光刻机NSR-4425i12,用于半导体器件制造。使用ORC制作所高压汞灯,功率2KW,型号:NLi-2501A。超高压汞灯紫外线灯UNL-12001
ORC制造UV-LED照射装置
3种波长(365nm,385nm,405nm)可以单独照射,多波段混合LED照射装置。
製品仕様
灯具型式:LUV-L330-Mix2
照射範囲:W330.0(mm)D15.0(mm)
波長:365・385・405(nm)照射距離(WD)25(mm)
消費電力:(Max)1900(W)
Size:H125.7(mm)W482.0(mm)D230.0(mm)
重量:7.5(kg)
電源型式:LUV-L330-Mix2
調光方式:デジタル調光・定電流制御方式
出力容量:2600(W)
定格電源電圧:AC100~240(V)50/60Hz
アラーム機能:LED断線・温度上昇重量22.0(kg) 超高压汞灯紫外线灯UNL-12001